1. Generalităţi
Tiristorul este realizat dintr-un cristal de siliciu cu patru zone alternate ca polaritate PNPN (fig.1). Aceste zone dau naştere la trei joncţiuni (J1, J2, J3), lucru care face ca tiristorul să aibă ca schemă echivalentă două tranzistoare, unui PNP şi altul NPN.
Tiristorul este realizat dintr-un cristal de siliciu cu patru zone alternate ca polaritate PNPN (fig.1). Aceste zone dau naştere la trei joncţiuni (J1, J2, J3), lucru care face ca tiristorul să aibă ca schemă echivalentă două tranzistoare, unui PNP şi altul NPN.
Zonele extreme P1 şi N2 reprezintă anodul (A - "anode") respectiv catodul (K – "cathode"). Zona P2 apropiată de catod se conectează la electrodul de comandă numit grilă sau poartă (G - gate). Datorită acestei configuraţii, tiristorul se mai numeşte şi diodă redresoare comandată. Caracteristica de funcţionare a tiristorului este prezentată în figura 2.
